CdSe/CdS核-棒异质结构中线性偏振发射的电子起源
介观与纳米尺度物理
2016-11-28 v2
摘要
籽晶 CdSe/CdS 纳米棒沿棒主轴表现出强烈的偏振发射。线性偏振度不能仅用介电效应解释，还存在一种附加的电子贡献，其性质迄今未明。利用多带 k.p 理论，我们分析了影响激子发射的若干因素的潜在影响，表明剪切应变是促进线性偏振的主要电子机制。它通过形变势使轻空穴激子在能量上优于重空穴激子，并通过压电效应使其辐射复合更快。该机制的启示是：通过在大的长球形 CdSe 核周围生长长而薄的 CdS 壳层可增强线性发射，这确实支持并合理化了最近的实验发现。结合众所周知的介电效应，这些结果为通过专门的结构设计控制核-棒中的线性偏振度铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1611.00973,
title = {Electronic Origin of Linearly Polarized Emission in CdSe/CdS Dot-in-Rod Heterostructures},
author = {Josep Planelles and Fernando Rajadell and Juan I. Climente},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.00973},
year = {2016}
}
备注
Includes supporting information