充电对CdSe/CdS点入棒单光子发射的影响
量子物理
2015-02-09 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
采用基于光致发光计数率对光子探测事件进行后选择的方法，研究了CdSe/CdS点入棒纳米晶的光子统计。我们表明，解释单光子发射特性需考虑两态间的闪烁。通过事后选择，我们能够识别两种发射态：激子和带电激子(三子)，其特征为不同的寿命和不同的二阶关联函数。带事后选择的零延迟二阶自关联函数测量显示CdSe/CdS点入棒在带电状态下的单光子发射退化，我们通过推导中性和带电双激子量子产率来解释该现象。
引用
@article{arxiv.1502.01740,
title = {Effect of charging on CdSe/CdS dot-in-rods single-photon emission},
author = {M. Manceau and S. and Vezzoli and Q. Glorieux and F. Pisanello and E. Giacobino and L. Carbone and M. De Vittorio and A. Bramati},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.01740},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 5 figures