纳米线GaN/AlN异质结构中高度局域化发光的表征
材料科学
2015-02-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
使用以光谱成像模式运行的扫描透射电子显微镜（STEM），在纳米尺度（nanoCL）下通过空间分辨阴极荧光（CL）研究了GaN纳米线中GaN/AlN量子盘堆叠的光学性质。对于量子盘区域的电子束激发，由于GaN和AlN之间巨大的带隙差，发光信号高度局域化，空间展宽低至5 nm。这使得能够区分相邻量子盘的发射，并证实了在纳米线侧壁上无意生长的横向夹杂物的存在，即厚度约3 nm、长度约20 nm的柱状结构（量子柱，QRods）。这些结构也通过STEM暗场成像观察到，被证明在nanoCL中具有光学活性，其发射波长与大多数量子盘相似，但通常更短。
关键词
引用
@article{arxiv.1209.2545,
title = {Visualising highly localised luminescence in GaN/AlN heterostructures in nanowires},
author = {L. F. Zagonel and L. Rigutti and M. Tchernycheva and G. Jacopin and R. Songmuang and M. Kociak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.2545},
year = {2015}
}
备注
25 Pages, 18 Figures, manuscript format