RRCAT高功率量子阱激光器的研制
光学
2014-12-05 v1
摘要
我们在RRCAT最近研制了波长范围在740至1000 nm的高功率激光二极管。典型的半导体激光器结构由约10个具有不同组分、厚度和掺杂值的外延层组成。例如，工作在0.8微米的激光二极管以GaAs或GaAsP量子阱作为有源层。量子阱被夹在AlGaAs宽波导和包层之间。完整的激光器结构通过金属有机气相外延技术生长，器件通过标准光刻工艺制造。我们最近在853 nm处实现了约5.3瓦的峰值功率。这些激光二极管在室温下以500纳秒脉冲宽度和1:1000占空比的脉冲模式下进行了测试。还研制了由6-10个单元组成的激光二极管阵列，并在室温脉冲模式下进行了测试。
引用
@article{arxiv.1412.1568,
title = {Development of high power quantum well lasers at RRCAT},
author = {T. K. Sharma and Tapas Ganguli and V. K. Dixit and S. D. Singh and S. Pal and S. Porwal and Ravi Kumar and Alexander Khakha and R. Jangir and V. Kheraj and P. Rawat and A. K. Nath},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.1568},
year = {2014}
}
备注
appears in Proc. Of BARC Golden Jubilee Sixth DAE-BRNS NLS-2006 published in KIRAN-A Bulletin of Indian Laser Association, 17(3), 86 (2006). Invited Talk