强磁场下工作温度高达 195 K 的 InGaAs/AlInGaAs 太赫兹量子级联激光器
光学
2015-02-23 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
对基于 InGaAs 阱和四元 AlInGaAs 势垒的太赫兹量子级联激光器在磁场中进行了测量。这项研究是在光子能量为 14.3 meV 的四量子阱有源区设计上进行的，该设计分别采用 Au 和 Cu 波导加工。该异质结构在 B=0 T 且使用 Cu 波导时，工作温度高达 148 K。完整的磁光谱研究使得发射数据和输运数据的比较成为可能。随着磁场的增加，InGaAs 阱的低有效质量使我们能够达到非常强的限制机制。在 B=12 T 处，此时回旋跃迁几乎与 LO 声子共振，我们记录了采用 Cu 波导器件的最高工作温度为 195 K。在 7.3 至 7.7 T 的磁场之间，还检测到了 5.9 meV 的额外激光发射。
引用
@article{arxiv.1411.1682,
title = {InGaAs/AlInGaAs THz Quantum Cascade Lasers operating up to 195 K in strong magnetic field},
author = {Federico Valmorra and Giacomo Scalari and Keita Ohtani and Mattias Beck and Jerome Faist},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.1682},
year = {2015}
}