铍和硅δ掺杂 GaAs/AlAs 量子阱的太赫兹探测
材料科学
2007-11-06 v1
摘要
本文展示了利用铍和硅δ掺杂 GaAs/AlAs 多量子阱 (MQWs) 对太赫兹 (THz) 辐射的选择性探测。在液氦温度下，硅掺杂 MQWs 在 0.5–4.2 THz 范围内的灵敏度高达 0.3 V/W，而铍掺杂 MQWs 在 4.2–7.3 THz 范围内的灵敏度高达 1 V/W。根据光反射谱中观察到的 Franz-Keldysh 振荡估算的内建电场位于 MQWs 的覆盖层和缓冲层附近，其数值随结构设计不同而在 18 kV/cm 至 49 kV/cm 之间变化。
引用
@article{arxiv.0711.0460,
title = {Terahertz sensing by beryllium and silicon delta-doped GaAs/AlAs quantum wells},
author = {D. Seliuta and J. Kavaliauskas and B. Cechavicius and S. Balakauskas and G. Valusis and B. Sherliker and M. P. Halsall and P. Harrison and M. Lachab and S. P. Khanna and E. H. Linfield},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.0460},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 3 figures