用于量子级联太赫兹激光器的势能插入量子阱设计
材料科学
2017-04-05 v2
摘要
我们报道了一种基于单势能插入量子阱有源区的新型太赫兹量子级联激光器设计。量子阱特性通过单分子层 InAs 插入物进行工程化。该建模基于原子级 spds* 紧束缚计算，并将其性能与经典的三阱设计进行比较。我们获得了每单位长度振荡器强度 100% 的增加，同时保持了上下激光态的声子诱导弛豫时间之间高且几乎与温度无关的对比度。改进的性能有望使太赫兹激光在室温下实现。
引用
@article{arxiv.1610.05721,
title = {Potential-inserted quantum well design for quantum cascade terahertz lasers},
author = {R. Benchamekh and J. -M. Jancu and P. Voisin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.05721},
year = {2017}
}