受激辐射的相位分辨测量
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
半导体量子级联激光器(QCL)[1]的发展使得在光学(>100 THz)与电子学(<0.5 THz)频段之间工作的明亮相干光源成为可能，为基础科学研究[2-5]及应用[6]开放了该频段。然而，为了进一步向高输出功率、更长波长和稳定脉冲运行发展，需要有关QCL内部过程及其超快动力学的详细信息。我们引入了一种新方法，利用受激辐射的相位分辨测量来研究太赫兹(THz) QCL[7]的增益与动力学。这得益于以<100 fs的时间分辨率直接记录发射的电场。对于THz QCL的情形，我们证明了激光器量子力学描述的有效性。我们首次展示了太赫兹增益介质的真实带宽、该增益的电流依赖性，以及与激光波导中波传播相关的损耗。
引用
@article{arxiv.0705.2296,
title = {Phase resolved measurements of stimulated emission},
author = {Josef Kröll and Juraj Darmo and Sukhdeep S. Dhillon and Carlo Sirtori and Karl Unterrainer and Xavier Marcadet and Michel Calligaro},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.2296},
year = {2009}
}
备注
PDF file format, 16 pages, 5 figures