基于体块AlN衬底与硅纳米膜的高效空穴注入UVC LED
应用物理
2017-07-14 v1
摘要
随着UV LED向更短波长（<280 nm）的UVC光谱范围探索，高铝组分外延AlGaN薄膜的晶体质量以及p型AlGaN低效的空穴注入严重限制了LED的性能与发展。本工作中，我们报道了基于体块AlN衬底和p型硅纳米膜接触层分别显著改善AlGaN薄膜质量和空穴注入的AlN/Al0.72Ga028N多量子阱UVC LED，实现了237 nm光发射，其光输出功率达265 uW，为纪录值。在高达245 A/cm2的电流密度下未观察到光强衰减或效率骤降，这归因于AlGaN薄膜内低位错密度、来自p-Si的高空穴浓度以及向有源区的高效空穴传输。此外，237 nm处的发射峰在整个电致发光光谱中占主导，未观察到明显的寄生发射。本研究证明了使用p-Si作为UVC LED空穴注入层的可行性，该方法可拓展至更短波长，而在此类波长下化学掺杂AlGaN层的空穴注入不可行。
引用
@article{arxiv.1707.04223,
title = {UVC LEDs on Bulk AlN Substrates Using Silicon Nanomembranes for Efficient Hole Injection},
author = {Sang June Cho and Dong Liu and Jung-Hun Seo and Rafael Dalmau and Kwangeun Kim and Jeongpil Park and Deyin Zhao and Xin Yin and Yei Hwan Jung and In-Kyu Lee and Munho Kim and Xudong Wang and John D. Albrecht and Weidong Zhou Baxter Moody and Zhenqiang Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.04223},
year = {2017}
}
备注
25 pages, 7 figures