隧穿注入型UVA发光二极管的P型包覆层设计
介观与纳米尺度物理
2016-11-23 v1 材料科学
仪器与探测器
光学
摘要
我们讨论了p-AlGaN包覆层的工程设计，以实现紫外A波段（UV-A）高效隧穿注入型III族氮化物紫外发光二极管（UV LED）。我们展示了电容-电压测量可用于估算位于多量子阱区和隧穿结层之间的p-AlGaN层的补偿和掺杂。通过提高p型掺杂浓度以克服背景补偿，在325 nm发射波长的隧穿注入型UV LED上实现了3.37%的晶圆级外量子效率和1.62%的电光转换效率。我们还展示了带间隧穿空穴注入可用于实现无任何受主掺杂的UV LED。本文讨论的工作为基于AlGaN的UV LED中的空穴掺杂和输运提供了新的理解，并展示了隧穿注入型LED在UV-A波长范围内的优异性能。
引用
@article{arxiv.1609.06240,
title = {Design of P-Type Cladding Layers for Tunnel-Injected UVA Light Emitting Diodes},
author = {Yuewei Zhang and Sriram Krishnamoorthy and Fatih Akyol and Andrew A. Allerman and Michael W. Moseley and Andrew M. Armstrong and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.06240},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 5 figures