基于 GdN 纳米岛的 GaN 隧道结
材料科学
2013-06-25 v3
摘要
我们展示了 GdN 纳米岛可将 GaN PN 结中的带间隧穿增强数个数量级，从而实现低光吸收、低电阻的隧道结（比电阻率为 1.3 X 10^{-3} {\Omega}-cm^2），适用于各种光电子应用。我们利用在 GdN 纳米岛上外延生长高质量 GaN 的能力，创造了平面外延无法实现的新型纳米尺度异质结构设计。研究发现，GdN 纳米岛辅助的带间隧穿增强了 GaN 两种极性取向下的隧穿效应。通过带有隧穿接触层的 GaN p-n 结在低温下的运行确认了空穴的隧穿注入，显示出强电致发光直至 20K。具有可忽略吸收的隧道结的可用性，不仅能显著提高现有光电子器件的效率，还能启用基于宽禁带材料的新型电子和光学器件。
引用
@article{arxiv.1206.3810,
title = {GdN Nanoisland-Based GaN Tunnel Junctions},
author = {Sriram Krishnamoorthy and Thomas Kent and Jing Yang and Pil Sung Park and Roberto Myers and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.3810},
year = {2013}
}