非晶GaAs再结晶过程中结构与电子恢复的关键脱节

理解从非晶相到晶相转变过程中结构和功能性的演化，对于预测和设计在极端条件下应用的器件至关重要。在此，我们考虑了辐照GaAs再结晶的两个方面。我们发现结构演化分为两个阶段：一个是以缓慢、外延前沿传播为特征的低温区，另一个是以快速生长和致密纳米孪晶网络形成为主导的高温区。我们将这种结构演化的各个方面与非晶相内的局部有序或近晶性联系起来。关键的是，材料的电子恢复与这种结构演化并不相称。再结晶材料的电子特性比非晶相更偏离原始材料，这突显了结构恢复与电子恢复之间的不一致性，以及长程有序的丧失与局域缺陷对半导体材料功能性的不同影响。