低温硅在氢化处理Si(100)表面上的生长
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
在300-530 K温度下，对H处理Si(100)-2x1和3x1表面的Si沉积进行了扫描隧道显微镜研究。氢化处理似乎阻碍了Si原子扩散并增强了表面粗糙度。分析了后生长退火效应。氢化处理被证明可保留在生长前端至少10 ML。3x1表面上的二氢单元进一步抑制了Si原子扩散并增加了表面粗糙度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310508,
title = {Low temperature silicon epitaxy on hydrogen terminated Si(100) surfaces},
author = {Jeong-Young Ji and T. -C. Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310508},
year = {2009}
}
备注
26 pages, 9 figures