Si(001)表面Ge量子点的成核
介观与纳米尺度物理
2010-07-30 v5 材料科学
摘要
首次报道了通过超高真空分子束外延形成的Ge hut团簇成核的直接观察。在润湿层块上观察到了金字塔形和楔形团簇的核，并发现它们具有不同的结构。两种团簇的生长遵循不同的情景：楔形团簇第二原子层的形成导致其第一层发生重排。其脊状结构并不复制核的结构。金字塔形团簇的生长没有相变。其顶点结构复制了核的结构。楔形团簇的三角形面上包含点缺陷，并具有沿脊的优先生长方向。推导出的{105}面结构对应于PD模型。临界外成核现象可能是hut形成的原因。
引用
@article{arxiv.0907.4665,
title = {Nucleation of Ge quantum dots on the Si(001) surface},
author = {Larisa V. Arapkina and Vladimir A. Yuryev},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.4665},
year = {2010}
}
备注
6 pages, 6 figures; Fig. 4e has been improved; additional explanations have been added. To appear in Phys. Rev. B