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自组装 Ge:Si(001) 岛原子有序性的 X 射线散射观测

材料科学 2007-05-23 v1

作者: A. Malachias , T. U. Schulli , G. Medeiros-Ribeiro , M. Stoffel , O. G. Schmidt , T. H. Metzger , R. Magalhaes-Paniago

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摘要

测量了生长于 Si(001) 上的无盖自组装 Ge 岛附近基准禁止 (200) Bragg 反射处的 X 射线散射。我们的结果提供了原子有序 SiGe 域存在于岛屿和湿层中的证据。对 X 射线轮廓的建模揭示了原子有序域之间存在有限区域内的反位边界，其中岛屿的化学计量略等于 Si0.5Ge0.5。

关键词

X 射线散射原子有序 Ge:Si 岛反位边界自组装

引用

@article{arxiv.cond-mat/0411642,
  title  = {Atomic ordering in self-assembled Ge:Si(001) islands observed by X-ray scattering},
  author = {A. Malachias and T. U. Schulli and G. Medeiros-Ribeiro and M. Stoffel and O. G. Schmidt and T. H. Metzger and R. Magalhaes-Paniago},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411642},
  year   = {2007}
}

备注

13 pages, 4 figures