利用多重分形技术表征 Ge 离子注入 SiO₂ 基体的形貌
材料科学
2017-05-31 v1
摘要
在 Si 衬底上生长了 200 nm 厚的 SiO₂ 层，并以不同注量将能量为 150 keV 的 Ge 离子注入 SiO₂ 基体中。注入后的样品在 Ar 气氛中于 950 °C 退火 30 分钟。通过原子力显微镜（AFM）获取了注入及退火样品的形貌图像。采用基于配分函数方法的二维（2D）多重分形去趋势波动分析（MFDFA）研究了离子注入和退火样品的表面。配分函数用于计算随分段尺寸变化的广义 Hurst 指数。此外，观察到广义 Hurst 指数随阶矩呈非线性变化，从而表现出多重分形特征。对于注量为 7.5×10¹⁶ ions/cm² 的注入表面，退火后其表面的多重分形性更为显著。
引用
@article{arxiv.1705.10456,
title = {Morphological characterization of Ge ion implanted SiO2 matrix using multifractal technique},
author = {R. P. Yadav and V. Baranwal and Sunil Kumar and Avinash C Pandey and A. K. Mittal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.10456},
year = {2017}
}