掺杂半导体中第一性原理波函数的多重分形性
无序系统与神经网络
2019-02-27 v1
摘要
在文献[1,2]中,我们展示了现代线性标度 DFT 与随后使用大型有效紧束缚哈密顿量的结合,如何能够计算多重分形波函数,从而得到掺杂半导体中安德森金属-绝缘体转变(MIT)的临界性质。该结合使我们能够构建硫掺杂硅(Si:S)的大型且原子级真实样本。此类系统的临界性质与 MIT 的存在已为人所知,但靠近转变处临界指数 的实验测定值始终不同于标准紧束缚安德森模型所得者。在文献[1]中,我们发现当使用基于 Si:S 真实杂质带中多重分形指数标度的新颖 \emph{ab initio} 方法时,这一“指数谜题”可得以解决。此处,在简要回顾多重分形后,我们给出[1]中所用多重分形分析的细节,并展示 Si:S 在 MIT 处获得的 \emph{临界} 多重分形谱。
引用
@article{arxiv.1902.09461,
title = {Multifractality of ab initio wave functions in doped semiconductors},
author = {Edoardo G. Carnio and Nicholas D. M. Hine and Rudolf A. Römer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.09461},
year = {2019}
}
备注
14 pages with 6 colour figures, proceedings of the symposium 'Physics at the Nanoscale' at University of Manitoba, Winnipeg, Canada, April 2018 in honour of Prof. Tapash Chakraborty