通过石墨烯衬底的电荷掺杂调控Fe成核密度
材料科学
2015-06-19 v1
摘要
我们证明了外延薄膜生长初始阶段的岛成核可以通过衬底表面电荷掺杂来调控。以Fe沉积在石墨烯衬底上为例，使用自旋密度泛函理论计算研究了这种电荷效应。发现空穴掺杂可以明显增加Fe吸附原子的扩散势垒以及中等距离处Fe原子间的排斥能，而电子掺杂可以降低Fe吸附原子的扩散势垒，但仅轻微改变原子间排斥能。进一步的动力学蒙特卡洛模拟表明，在空穴掺杂下成核岛密度可以增加到无掺杂时的十倍，而在电子掺杂下可以降低到无掺杂时的十分之一。我们的发现表明了一种通过表面电荷掺杂来定制用于自旋电子学的磁性金属纳米结构生长形态的新途径。
引用
@article{arxiv.1406.0490,
title = {Tuning Fe Nucleation Density with Charge Doping of Graphene Substrate},
author = {Wenmei Ming and Feng Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.0490},
year = {2015}
}