通过衬底表面重构调控常规半导体上外延石墨烯的掺杂
材料科学
2021-03-29 v2
摘要
结合扫描隧道显微镜与角分辨光电子能谱，我们展示了如何利用热退火时Ge表面自发发生的结构变化，将外延石墨烯的掺杂由p型调至n型。此外，利用第一性原理计算我们建立了一个成功复现实验观测的模型。由于修饰石墨烯电子性质的能力对其应用至关重要，我们的结果为石墨烯与常规半导体的集成提供了重要贡献。
引用
@article{arxiv.2010.08404,
title = {Tuning the doping of epitaxial graphene on a conventional semiconductor via substrate surface reconstruction},
author = {Miriam Galbiati and Luca Persichetti and Paola Gori and Olivia Pulci and Marco Bianchi and Luciana Di Gaspare and Jerry Tersoff and Camilla Coletti and Philip Hofmann and Monica De Seta and Luca Camilli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.08404},
year = {2021}
}