GaN 纳米墙网络形成中边缘增强生长诱导的形状转变
介观与纳米尺度物理
2018-07-17 v1
摘要
我们通过实验监测 PA-MBE 控制生长，并辅以第一性原理计算，探讨了 GaN 独特纳米墙网络 纳米结构早期生长及形状转变的机制。利用电子显微镜，我们观察到在生长早期形成了四面体形状（三面金字塔）的岛，随后这些岛沿 (201) 晶面的边缘各向异性生长，形成墙状结构。结合不同表面的自由能、Ga 吸附原子在 (201) 晶面上的吸附能和扩散势垒，讨论了这种晶体生长的机制。通过第一性原理计算，我们发现吸附原子的扩散势垒随晶面宽度的减小而降低，这是导致各向异性生长和纳米墙网络形成的原因。本研究表明，NwN 的形成是薄膜生长中结构依赖附着动力学 (SDAK) 不稳定性诱导形状转变的典型范例。
引用
@article{arxiv.1708.03094,
title = {Edge enhanced growth induced shape transition in the formation of GaN Nanowall Network},
author = {Sanjay Nayak and Rajendra Kumar and S. M. Shivaprasad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.03094},
year = {2018}
}