分子束外延中自发形成的 GaN 纳米线的自调节半径
材料科学
2024-02-06 v1
摘要
我们研究了在分子束外延生长过程中,改变 Ga 通量对 GaN 纳米线轴向和径向生长的影响。Ga 通量的增加促进了径向生长,而不影响轴向生长速率。相反,Ga 通量的减少降低了轴向生长速率,但半径没有任何变化。这些结果可以通过一个动力学生长模型来解释,该模型同时考虑了 Ga 吸附原子沿侧面向纳米线尖端的扩散,以及可用于生长的有限活性 N 数量。该模型解释了增加 Ga 通量后新的平衡纳米线半径的形成,并为两个众所周知但至今未被理解的实验事实提供了解释:GaN 纳米线自发生长需要有效富 N 条件的必要性,以及纳米线半径随 III/V 通量比增加而增大的现象。
引用
@article{arxiv.2402.01756,
title = {Self-regulated radius of spontaneously formed GaN nanowires in molecular beam epitaxy},
author = {Sergio Fernández-Garrido and Vladimir M. Kaganer and Karl K. Sabelfeld and Tobias Gotschke and Javier Grandal and Enrique Calleja and Lutz Geelhaar and Oliver Brandt},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.01756},
year = {2024}
}