应变层薄膜生长中量子点的自组装：动力学蒙特卡洛研究
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
利用蒙特卡洛模拟研究了在晶格失配衬底上沉积半导体薄膜时的岛形成过程。已知岛以约一个原子的临界核成核，并二维生长直至达到临界尺寸s_c，此时岛转变为三维生长更有利。我们研究了从二维(2D)到三维(3D)生长的转变机制。达到临界尺寸s_c的二维岛边缘原子因应变而变得可移动，并被提升到下一层。所得岛的边缘原子保持高度应变，并迅速被提升到更高层。这种耗尽过程是快速的，并在明确的岛尺寸处发生。我们讨论了这为何导致在高度失配异质外延中自组装量子点的均匀性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0001145,
title = {Quantum Dot Self-assembly in Growth of Strained-Layer Thin Films: a Kinet ic Monte-Carlo Study},
author = {K. E. Khor and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0001145},
year = {2009}
}
备注
22 pages, 6 figures