嵌入光子线中的量子点的静态应变调控
介观与纳米尺度物理
2018-03-22 v1
摘要
我们利用应变静态调控嵌入在具有极高单光子收集效率的 GaAs 光子线中的单个 InAs 量子点（QD）的半导体带隙。得益于该结构的几何形状，我们能够通过使用纳米操纵器施加应力，将 QD 激子跃迁移动超过 20 meV。此外，由于结构中产生的强横向应变梯度，我们可以相对调控位于线波导中的两个 QD 并使它们共振，从而为观测超辐射等集体效应开辟了道路。
引用
@article{arxiv.1802.03165,
title = {Static strain tuning of quantum dots embedded in a photonic wire},
author = {D. Tumanov and N. Vaish and H. A. Nguyen and Y. Curé and J. -M. Gérard and J. Claudon and F. Donatini and J. -Ph. Poizat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.03165},
year = {2018}
}