门控半导体纳米结构中应变诱导量子点的形成
介观与纳米尺度物理
2014-09-12 v1
摘要
弹性应变会改变半导体中导带的能量，从而影响通过半导体纳米结构的输运。我们表明，半导体纳米结构中来自金属栅极的典型应变足以产生应变诱导量子点 (QDs)。我们模拟了一种常用的量子点器件架构（体硅上的金属栅极），并展示了应变诱导量子点的形成。通过将金属栅极替换为多晶硅栅极，可以消除应变诱导量子点。因此，对于量子点器件的工作而言，应变可能与静电效应同样重要。
引用
@article{arxiv.1409.3549,
title = {Formation of Strain-Induced Quantum Dots in Gated Semiconductor Nanostructures},
author = {Ted Thorbeck and Neil M. Zimmerman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.3549},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 3 figures, plus supplementary information