确定纳米线中非故意量子点的位置与成因
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1
摘要
通过将电容与电容模拟进行比较，我们以几纳米的精度确定了硅纳米线中非故意量子点（U-QDs）的位置。由于我们在多个器件的同一导线位置观察到 U-QDs，其成因很可能是制造工艺的非预期后果，而非通常假设的随机原子尺度缺陷。U-QDs 的位置似乎与来自氧化物和栅极的应变引起的导带调制一致。这使我们能够提出减少 U-QDs 出现频率的方法。
引用
@article{arxiv.1201.5144,
title = {Determining the Location and Cause of Unintentional Quantum Dots in a Nanowire},
author = {Ted Thorbeck and Neil M. Zimmerman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.5144},
year = {2015}
}