半填充纳米器件中的弹跳瞬态电流和类SQUID电压
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1 超导电性
摘要
非对称连接到导线的纳米环在突然激发和稳态电流条件下表现出不同类型的量子干涉现象。本文对比了由突然偏压引起的瞬态电流与恒定电流下的磁效应。一个排斥性杂质可导致电荷在其中一个支路中积累并产生反向电流尖峰。此外，它还能引起从层流到涡流的转变，并改变涡旋的手性。这些器件的磁行为也极为特殊。由奇数个原子组成的纳米电路与由偶数个原子组成的纳米电路在行为上存在根本性差异。具有奇数个位点并连接到足够长对称导线的电路是抗磁性的；即使在没有电子-声子和电子-电子相互作用的情况下，它们也表现出由多体对称性诱导的半磁通量子周期性。原则上，可以在没有超导体的情况下操作一种新型量子干涉器件。由于没有能隙和临界温度，可以预测在室温及高于室温时定性行为相同，尽管电流会减小。另一方面，具有偶数个位点的电路是顺磁性的。
引用
@article{arxiv.0908.3739,
title = {Bouncing transient currents and SQUID-like voltage in nano devices at half filling},
author = {Michele Cini and Enrico Perfetto and Chiara Ciccarelli and Gianluca Stefanucci and Stefano Bellucci},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.3739},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 10 figures, accepted by Phys. Rev. B