沿生长轴外应变的量子点中的大且均匀的光学发射偏移
介观与纳米尺度物理
2016-05-25 v1 光学
量子物理
摘要
我们引入一种方法，能够直接比较弹性应变对不同量子点(QDs)光学性质的影响。具体而言，将这些量子点集成在半导体核线的横截面中，该核线被非晶应变壳包围。详细的数值模拟表明，由于壳层的力学各向同性，核截面中的应变场是均匀的。此外，我们利用核材料作为原位应变计，给出发射体能量调谐斜率的可靠值。该校准技术被应用于沿其生长轴承受递增拉伸应变的自组装InAs量子点。与最近在类似量子点上垂直于生长轴施加应力的研究相反，光学光谱显示出大5-10倍的调谐斜率，且离散度适中。这些结果突出了应力方向对于优化量子点对施加应变响应的重要性，这在静态与动态机制中均有意义。因此，它们特别是与波长可调单光子源或混合量子点光机械系统的发展相关。
引用
@article{arxiv.1602.06729,
title = {Large and uniform optical emission shifts in quantum dots externally strained along their growth axis},
author = {Petr Stepanov and Marta Elzo Aizarna and Joël Bleuse and Nitin S. Malik and Yoann Curé and Eric Gautier and Vincent Favre-Nicolin and Jean-Michel Gérard and Julien Claudon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.06729},
year = {2016}
}