反型I类CdS/CdSe核/冠量子环的光电子学特性

反型I类异质结构核/冠量子环（QRs）是量子效率高且光谱特性高度可调的发光体。在此，我们研究闪锌矿相中I类核/冠CdS/CdSe量子环在不同横向尺寸和冠层宽度下的光电子特性。为此，我们考察了它们的应变分布、跃迁能量、跃迁矩阵元、空间电荷密度、电子能带结构、能带混合概率、光学增益谱、最大光学增益和微分光学增益。我们的框架采用基于8带k$\cdot$p方法的有效质量包络函数理论，并运用价力场模型计算原子应变分布。增益计算基于密度矩阵方程，并考虑了含带内散射的激子效应。量子环横向尺寸以及核与冠的相对宽度（即组分）的变化会影响其能级、能带混合概率、光学跃迁矩阵元、发射波长/强度等。量子环的光学增益也强烈依赖于尺寸和组分，并进一步依赖于导致带填充效应的注入载流子密度。它们也影响不同尺寸和组分下的最大增益和微分增益。