电场与磁场下b-AsP量子点与量子环的电子及光学性质
介观与纳米尺度物理
2022-12-06 v1
摘要
本工作中，我们利用紧束缚方法研究了在平面内电场与垂直磁场共同作用下，具有不同边缘类型的b-AsP量子点（QDs）与量子环（QRs）的电子与光学性质。我们的计算表明，边缘态的电子与光学性质在很大程度上依赖于边缘类型。通过调节电场或磁场强度，可有效调控概率密度。特别地，在平面内电场下，含δ原子的菱形量子点与量子环中涌现新颖边缘态，并在导带区域发生这些新颖边缘态与体态之间的跃迁，这由光学吸收谱中分明且均匀分离的峰所揭示。该工作或可发掘一种在二维材料量子点中实现量子态传输的潜在体系。
引用
@article{arxiv.2212.01846,
title = {Electronic and optical properties of b-AsP quantum dots and quantum rings under the electric and magnetic fields},
author = {Chen Li and Xuefei Yan and Jinluo Cheng and Weiqi Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.01846},
year = {2022}
}
备注
12 pages, 12 figures