来自混合压电 - 半导体量子点器件的高度纠缠光子
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1 材料科学
量子物理
摘要
纠缠资源是未来量子技术的关键要素。如果能将其有效地集成到半导体平台中，就可以设想新一代器件，其量子力学功能可通过成熟的半导体技术进行控制。嵌入二极管中的外延量子点（QDs）体现了这种理想的量子器件，但 QD 的结构不对称性会显著降低源的纠缠度，并严重阻碍其在预期应用中的实际利用。在这项工作中，我们利用应变可调谐光电器件克服了这一障碍，其中任何 QD 均可被调谐以发射高度偏振纠缠光子。这些电控源无需光谱或时间滤波即可违反贝尔不等式，并且具有迄今为止报道的 QD 最高纠缠度，并发度高达 0.75(2)。这些量子器件目前是将基于 QD 的纠缠资源直接应用于量子信息科学与技术中最有希望的候选者。
引用
@article{arxiv.1403.0225,
title = {Highly entangled photons from hybrid piezoelectric-semiconductor quantum dot devices},
author = {Rinaldo Trotta and Johannes S. Wildmann and Eugenio Zallo and Oliver G. Schmidt and Armando Rastelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.0225},
year = {2015}
}