单量子点纠缠光子发光二极管图案化阵列中选择性载流子注入的工程化
应用物理
2017-07-20 v1 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
在发展量子技术中，可扩展性与代工厂兼容性（例如在传统硅基集成计算机处理器中）是当前研究面临的非凡挑战。在此，我们引入一种量子光子技术，有望实现基于半导体的、位置可控的、可扩展的电驱动偏振纠缠光子源阵列的大规模制造，并具备编码量子信息的潜力。该光源的设计基于沿晶向(111)B在微米级金字塔凹槽中生长的量子点，从理论上保证了量子点的高对称性——这是实现明亮纠缠光子发射的条件。这些非平面结构中的选择性电注入方案允许获得高密度的发光二极管，其中一些产生的纠缠光子对还违反了贝尔不等式。与半导体制造技术的兼容性、良好的可重复性以及对位置的控制，使这些器件成为用于量子信息处理的集成光子电路的有力候选者。
引用
@article{arxiv.1707.06190,
title = {Engineering of selective carrier injection in patterned arrays of single-quantum-dot entangled photon light-emitting diodes},
author = {T-H. Chung and G. Juska and S. T. Moroni and A. Pescaglini and A. Gocalinska and E. Pelucchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.06190},
year = {2017}
}