III-V/硅芯片上的能量可调纠缠光子源
介观与纳米尺度物理
2015-08-04 v1 材料科学
光学
摘要
许多设想中的量子光子技术，例如量子中继器，依赖于能量（波长）可调的偏振纠缠光子对源。能量可调性是执行不同源之间的双光子干涉以及交换纠缠的基本需求。参量下转换和四波混频纠缠光子源已显示出能量可调性，但这些源的概率性本质限制了它们在复杂量子协议中的应用。在此，我们报道一种基于硅的混合光子芯片，其中能量可调的偏振纠缠光子由确定性且可扩展的III-V量子光源产生。该器件基于微机电系统（MEMS），其将InAs/GaAs量子点（QDs）集成在PMNPT-on-silicon衬底上。单个量子点的纠缠光子发射可以被调谐超过辐射线宽的3000倍而不破坏纠缠。我们的设计占地面积为数百微米，促进了硅上不可区分纠缠光子源的小型化和可扩展集成。当与基于硅的量子光子电路接口时，该器件将提供大量令人兴奋的可能性。
引用
@article{arxiv.1508.00042,
title = {Energy-tunable entangled photon sources on a III-V/Silicon chip},
author = {Yan Chen and Jiaxiang Zhang and Michael Zopf and Kyubong Jung and Yang Zhang and Fei Ding and Oliver G. Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.00042},
year = {2015}
}
备注
21 pages, 4 figures