单层半导体中通过局部应变控制实现激子动态漏斗传输

在半导体中控制激子的能力是众多拟议应用的基础，从用于计算和通信的激子电路，到极化子凝聚态，再到光伏中的能量传输。由于其大的激子结合能，二维半导体在室温应用中尤其有前景。它们极大的可拉伸性产生了可通过应变工程的带隙，该带隙已被用于在预定结构中诱导静态激子通量。然而，激子通量的动态控制仍是一项突出挑战。在此，我们引入一种方法，通过使用纳米尺度针尖施加局部应变梯度来调控悬浮二维半导体的带隙。这种应变使我们能够局部且可逆地移动激子能量，并引导激子通量跨越微米尺度距离，这由宽场成像和时间分辨光致发光光谱所观测到。我们预期，在纳米尺度上强且动态地调制半导体带隙的能力不仅标志着一项重要的实验工具，也将开启从信息处理到能量转换的广泛应用范围。