利用相干应变脉冲在室温体半导体中控制激子
材料科学
2018-03-22 v1
摘要
通过晶格自由度对体半导体中的激子进行相干操控，是声光与声激子器件发展的关键。宽禁带过渡金属氧化物表现出强束缚激子，在深紫外领域具有应用前景，但由于该光谱范围内缺乏高效的产生与探测方案，其性质一直难以揭示。在此，我们在室温下对锐钛矿 TiO 单晶进行了超快宽带深紫外光谱测量，揭示了由相干声学声子引起的激子峰幅度的剧烈调制。该调制量可与因量子限域效应增强激子-声子耦合的纳米结构相比拟，并伴随 30-50 meV 的巨大激子位移。我们利用多体微扰理论对这些结果进行建模，并表明非线性区域内的形变势耦合是产生和探测相干声学声子的主要机制。我们的发现为利用传播应变脉冲设计深紫外波段的激子控制方案铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1803.07666,
title = {Exciton Control in a Room-Temperature Bulk Semiconductor with Coherent Strain Pulses},
author = {Edoardo Baldini and Adriel Dominguez and Tania Palmieri and Oliviero Cannelli and Angel Rubio and Pascal Ruello and Majed Chergui},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.07666},
year = {2018}
}