双层氮化硼中扭转驱动的深紫外波长激子漏斗效应

实现工作在深紫外频段的直接带隙量子点对于电光和生物医学应用来说非常理想，但依然充满挑战。在这项工作中，我们结合第一性原理多体微扰理论和有效哈密顿量近似，提出在扭转双层六方氮化硼中实现深紫外激子量子点阵列。在小扭转角下，激子的有效量子限域效应可达约 400 meV，比在扭转半导体过渡金属二硫化物中观测到的大约四倍。特别是由于增强的电子-空穴吸引，这些激子将通过所谓的激子漏斗效应积累到直接带隙区域，从而为更好的发光性能和操控深紫外量子点的相干阵列提供了可能性。