利用弹性应变梯度调控半导体中的激子动力学
材料科学
2013-07-10 v1 介观与纳米尺度物理
光学
摘要
随着器件微型化逼近原子极限，亟需探索新的范式以调控材料中的电子结构和载流子动力学。原则上，弹性应变可用于实现对此类性质的可逆且快速的控制，但在半导体中产生并利用精确可控的非均匀形变仍是一个巨大挑战。在此，我们采用实验与理论相结合的方法，证明可以在 ZnO 微/纳米线中可控且可逆地产生弹性应变梯度。特别是，我们表明非均匀应变分布会产生一个有效场，从根本上改变中性激子的动力学。由于这些结果背后的基本原理具有相当普遍的适用性并适用于大多数半导体，这项工作指向了一条在电子学、光电子学和光化学领域实现广泛应用的新途径。
引用
@article{arxiv.1307.2502,
title = {Tailoring exciton dynamics by elastic strain-gradient in semiconductors},
author = {Xuewen Fu and Cong Su and Qiang Fu and Xinli Zhu and Rui Zhu and Chuanpu Liu and Jun Xu and Ji Feng and Ju Li and Dapeng Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.2502},
year = {2013}
}