GaN/AlN 量子点生长中垂直相关与掩膜效应的原位共振 X 射线研究
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
采用 grazing incidence 异常 X 射线散射用于原位监测 GaN/AlN 量子点 (QD) 的分子束外延生长。通过 grazing incidence 多波长异常衍射 (MAD) 研究了 QD 与 AlN 掩膜层的应力状态,并随 AlN 单层覆盖的 progressive 进行。同时采用 grazing incidence MAD 和异常 grazing incidence 小角度散射 (GISAXS) 研究了 QD 位置的垂直相关性,其随 GaN 平面数和 AlN 隔层厚度的变化而变化。在 GaN QD 与 AlN 掩膜层相互应力影响的条件下,发现 QD 位置存在垂直相关,这导致 QD 平均宽度增加。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508126,
title = {In situ resonant x-ray study of vertical correlation and capping e ects during GaN/AlN quantum dots growth},
author = {J. Coraux and H. Renevier and V. Favre-Nicolin and G. Renaud and B. Daudin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508126},
year = {2007}
}
备注
3 pages, 4 figures, submitted to Appl. Phys. Lett