温度依赖的无序与磁场驱动的无序：掺杂 GaAs/AlGaAs 量子阱结构的实验观测
无序系统与神经网络
2015-12-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了 GaAs/AlGaAs 量子阱结构的电导和磁电导实验研究，其中阱和势垒均掺有受主杂质 Be。电导的温度依赖性在约 100 K 时表现出非单调行为。在低温（小于 10 K）下，我们观察到在中等磁场下的强负磁阻，其在极强磁场下转变为正磁阻，并随温度升高被完全抑制。我们将这些异常特征归因于温度和磁场对无序程度的影响。温度依赖的无序与温度升高时不同局域态之间的电荷重分布有关。磁场依赖的无序同样与不同中心之间的电荷重分布有关，但在这种情况下，双占据的上哈伯德带态起着重要作用，由于现场自旋关联，其占据对磁场敏感。本文给出了详细的理论模型。
引用
@article{arxiv.1512.02891,
title = {Temperature-dependent disorder and magnetic field driven disorder: experimental observations for doped GaAs/AlGaAs quantum well structures},
author = {N. V. Agrinskaya and V. A. Berezovets and V. I. Kozub},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.02891},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures