GaN 基量子阱中的激子/自由载流子等离子体：散射与屏蔽
统计力学
2015-06-24 v1 材料科学
摘要
本文在低密度（Boltzmann）极限下计算了二维电子-空穴等离子体的电离度。本文对所有状态考虑了电子-空穴相互作用：光学活性和非活性态、束缚和非束缚态。该理论被应用于室温下 GaN 基量子阱中的激子/自由载流子等离子体。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111390,
title = {Exciton/free-carrier plasma in GaN-based quantum wells: Scattering and screening},
author = {M. E. Portnoi and I. Galbraith},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111390},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 1 figure