半导体量子井中电子空穴等离子体的离子化程度
统计力学
2009-10-31 v1 强关联电子
摘要
我们使用考虑了屏蔽库仑势中所有束缚态与非束缚态的修正质量作用定律计算了非退火两维电子空穴等离子体的离子化程度。将变量相位方法应用于该势允许我们在同一框架下处理散射态与束缚态。包含散射态后，结果与标准质量作用定律出现显著偏差。我们展示了在中空隙与宽空隙半导体之间存在定性差异。对于宽空隙半导体在室温下，当裸致能子结合能约为 T 时，平衡状态由近乎相等的相关电子空穴对和不相关自由载流子组成。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9906100,
title = {Ionization degree of the electron-hole plasma in semiconductor quantum wells},
author = {M. E. Portnoi and I. Galbraith},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9906100},
year = {2009}
}
备注
22 pages, 6 figures