应变III-V族半导体量子阱、量子线和量子点的带边图
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们计算了闪锌矿结构的AlN、GaN、InN、GaP、GaAs、InP、InAs、GaSb和InSb中一种材料应变到另一种材料上的大多数组合的带边能量。计算针对三种不同的几何结构(量子阱、量子线和量子点)进行,并计算了平均有效质量以估算限制能。对于量子阱,我们还计算了三元合金的带边。包括限制能在内的能隙,可以使用带能量和简单的有效质量近似轻松而准确地估算,与实验结果非常吻合。通过计算所有材料组合,我们确定了新颖且有趣的材料组合,例如人工施主,这些组合尚未在实验上实现。计算使用依赖于应变的k·p理论进行,并为应变异质结构的能带结构提供了全面的概述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501090,
title = {Band-edge diagrams for strained III-V semiconductor quantum wells, wires, and dots},
author = {C. E. Pryor and M. -E. Pistol},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501090},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 17 figures