基于多体微扰理论的 Si/SiO$_2$界面能带偏移
材料科学
2009-01-06 v1
摘要
我们使用多体微扰理论（能隙计算的最先进方法）来计算 Si/SiO界面的能带偏移。我们考察了在此背景下常用近似方法的充分性。我们表明：(i) 分别处理能带结构和电势排列贡献（后者在密度泛函理论框架内评估）是合理的；(ii) 大多数等离激元极点模型会导致绝对准粒子修正的不准确；(iii) 顶点修正可以忽略；(iv) 本征能量自洽性是充分的。我们的理论偏移值与实验值在 0.3 eV 范围内一致。
引用
@article{arxiv.0805.0212,
title = {Band Offsets at the Si/SiO$_2$ Interface from Many-Body Perturbation Theory},
author = {R. Shaltaf and G. -M. Rignanese and X. Gonze and Feliciano Giustino and Alfredo Pasquarello},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.0212},
year = {2009}
}