半导体异质结的能带偏移：一种杂化密度泛函研究
材料科学
2015-05-19 v1
摘要
我们展示了杂化泛函HSE06在计算半导体合金异质结能带偏移方面的准确性。本研究的亮点在于以标准密度泛函理论难以企及的可靠性计算了导带偏移。一个高质量的特殊准随机结构模拟了无限随机赝二元合金，用于构建沿(001)生长方向的异质结。我们在多种异质结上获得的优异结果确立了HSE06在高性能电学和光电器件能带工程中的相关性。
引用
@article{arxiv.1007.2635,
title = {Band offsets of semiconductor heterostructures: a hybrid density functional study},
author = {Amita Wadehra and Jeremy W. Nicklas and John W. Wilkins},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.2635},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 2 figures