非极性GaN量子阱中的各向异性电荷输运：极化诱导电荷与界面粗糙度散射
介观与纳米尺度物理
2010-11-10 v2
摘要
从理论上研究了沿非极性方向生长的GaN量子阱器件中的电荷输运。提出了一种由各向异性粗糙表面形貌与面内内禀极化共同作用导致的各向异性线电荷散射机制。研究表明，面内生长各向异性在低温下导致大的各向异性载流子输运。在高温下，这种电荷输运的各向异性被GaN量子阱中强的各向同性光学声子散射部分消除。
引用
@article{arxiv.1009.2156,
title = {Anisotropic charge transport in non-polar GaN QW: polarization induced charge and interface roughness scattering},
author = {Aniruddha Konar and Tian Fang and Nan Sun and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.2156},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures