HgTe (013) 量子阱中的散射各向异性

我们报道了关于宽度为 22 nm 的 HgTe (013) 量子阱中沿 $[100]$ 与 $[03\bar{1}]$ 方向、作为电子密度 $n$ 函数的电子输运各向异性的详细实验研究。在电荷中性点附近的最小电子密度处各向异性消失。各向异性随 n 增大而增加，当费米能级位于第一子带 H1 内时达到约 10%。当费米能级到达第二子带 E2 时，各向异性急剧增加（高达 60%）。我们得出结论：第一种效应源于微小的带内各向异性界面粗糙散射，第二种效应源于强各向异性带间粗糙散射，但此种各向异性剧烈变化的微观原因仍未知。