静水压力下 HgTe 量子阱中的二维半金属
介观与纳米尺度物理
2018-10-31 v2
摘要
我们报道了在高达 15.1 kbar 的静水压力下，对宽度为 20.5nm 的 HgTe 基量子阱在垂直磁场中电荷输运性质的系统测量结果。在常压下，输运可由两带半经典模型很好地描述。相反，在加压下，我们观察到电荷中性点（CNP）处电阻率的非单调压力依赖。对于低于约 9 kbar 的压力，电阻率随压力增大，这与能带结构计算及包含无序对具有间接能带交叠的二维半金属中输运影响的模型一致。对于更高压力，电阻率饱和并在压力进一步增大时开始下降。高于约 14 kbar 时，电阻和跳跃输运特征急剧变化，这可能表明激子绝缘态的形成。数据还揭示了无序对具有小能带交叠的二维电子-空穴系统输运的强烈影响。
引用
@article{arxiv.1712.01879,
title = {Two-dimensional semimetal in HgTe quantum well under hydrostatic pressure},
author = {V. A. Prudkoglyad and E. B. Olshanetsky and Z. D. Kvon and V. M. Pudalov and N. N. Michailov and S. A. Dvoretsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.01879},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 13 figures