正常能谱HgTe量子阱中的各向异性电导率和弱局域化

本文介绍了具有正常能谱的窄HgTe量子阱中干涉诱导磁电导的实验研究结果。分析考虑了电导率各向异性。结果表明，对应于相位弛豫时间的拟合参数$\tau_\phi$随电导率$\sigma$增大而增大，并随温度降低遵循$1/T$规律。这种行为类似于具有简单能谱的普通二维系统中观察到的行为，对应于电子-电子相互作用的非弹性作为相位弛豫的主要机制。然而，它与具有反转能谱的宽HgTe量子阱中观察到的行为截然不同，在后者中，以相同方式获得的$\tau_\phi$实际上与$\sigma$无关。推测电子多分量波函数的不同结构可能是这种差异的原因。