平行磁场下(001) GaAs电子的各向异性费米轮廓
强关联电子
2015-06-16 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了在平行磁场作用下，限制在30纳米宽(001) GaAs量子阱中的高迁移率电子出现严重的费米轮廓各向异性。我们研究了可公度振荡，即电子轨道与单向表面应变诱导的周期性势调制的几何共振，以直接探测沿平行磁场方向和垂直于平行磁场方向的费米轮廓大小。它们的面积通过Shubnikov-de Haas振荡获得。我们的实验数据与费米轮廓的无参数计算结果半定量一致，但存在显著差异。
引用
@article{arxiv.1306.3537,
title = {Anisotropic Fermi Contour of (001) GaAs Electrons in Parallel Magnetic Fields},
author = {D. Kamburov and M. A. Mueed and M. Shayegan and L. N. Pfeiffer and K. W. West and K. W. Baldwin and J. J. D. Lee and R. Winkler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.3537},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures