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二维空穴在 GaAs/AlGaAs (311)A 界面上高度各向异性的 commensurability 振荡

介观与纳米尺度物理 2009-10-31 v1

摘要

对 GaAs/AlGaAs 生长于 GaAs (311)A 衬底上的二维(2D)空穴体系的 commensurability 振荡进行测量,揭示出显著的各向异性:沿 [2ˉ\bar{2}33] 方向测量得到的 commensurability 振荡�幅约为沿 [011ˉ\bar{1}] 方向的 100 倍。对于类似界面上的 2D 电子体系,我们观察到几乎各向同性的振荡,这表明这种异常各向异性是固体氢 2D 空穴在 (311)A 界面上的固有特性。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0009363,
  title  = {Highly anisotropic commensurability oscillations in two-dimensional holes at the GaAs/AlGaAs (311)A interface},
  author = {Jeng-Bang Yau and Jeng-Ping Lu and Harindran C. Manoharan and Mansour Shayegan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0009363},
  year   = {2009}
}

备注

3 pages, 4 figures, presented at the 13th International Conference of the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems