应变诱导的 GaAs 二维空穴费米轮廓各向异性
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们报告了在 GaAs (311)A 二维空穴中，由反点方格阵列诱导的磁阻公度峰随施加面内应变变化的测量结果。数据直接探测了由于自旋 - 轨道相互作用和应变而分裂的两个自旋子带的费米轮廓形状。实验结果与精确能带计算的预测在定量上一致，并揭示多数自旋子带具有严重畸变的费米轮廓，其各向异性可通过应变进行调控。
引用
@article{arxiv.0801.3106,
title = {Strain-induced Fermi contour anisotropy of GaAs 2D holes},
author = {J. Shabani and M. Shayegan and R. Winkler},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.3106},
year = {2009}
}
备注
Accepted for publication in Phys. Rev. Lett